Penambahan 1200V Toshiba pada Barisan Diod Penghalang Schottky SiC Generasi Ketiganya Akan Menyumbang kepada Kecekapan Yang Tinggi dalam Peralatan Kuasa Industri

KAWASAKI, Jepun, 26 Sept (Bernama) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah menambah “Siri TRSxxx120Hx” bagi produk 1200V pada barisan diod penghalang Schottky (SBD) karbida silikon (SiC) generasi ketiganya untuk peralatan industri, seperti penukar fotovolta, stesen pengecas EV dan bekalan kuasa pensuisan. Toshiba hari ini memulakan penghantaran sepuluh produk baharu dalam siri ini, lima dalam bungkusan TO-247-2L dan lima dalam bungkusan TO-247.

Siri TRSxxx120Hx baharu ialah produk 1200V yang menggunakan struktur Schottky penghalang simpang (JBS) [1] bagi SBD SiC 650V generasi ketiga Toshiba. Penggunaan logam baharu dalam penghalang simpang membolehkan produk baharu mencapai voltan maju rendah 1.27V (biasa) terkemuka industri[2], cas berkemuatan penuh rendah dan arus songsang rendah. Ini dengan ketara mengurangkan kehilangan kuasa peralatan dalam penggunaan kuasa yang lebih tinggi.