Toshiba Mula Menghantar Sampel Ujian 1200V Trench-Gate SiC MOSFET yang akan Meningkatkan Kecekapan dalam Pusat Data AI Generasi Baharu

KAWASAKI, Jepun, 22 Mei (Bernama) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") hari ini telah mula menghantar sampel ujian “TW007D120E”, iaitu 1200V trench-gate SiC MOSFET yang direka terutamanya untuk sistem bekalan kuasa dalam pusat data AI generasi baharu, dan juga sesuai digunakan dalam peralatan berkaitan tenaga boleh diperbaharui.

Dengan perkembangan pesat AI generatif, peningkatan penggunaan tenaga telah menjadi isu mendesak bagi pusat data. Khususnya, penggunaan meluas pelayan AI berkuasa tinggi serta peningkatan pelaksanaan seni bina arus terus voltan tinggi (HVDC) 800V mendorong permintaan terhadap sistem bekalan kuasa yang mempunyai kecekapan penukaran kuasa dan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi. Toshiba telah memenuhi keperluan ini bagi pusat data AI generasi baharu dengan membangunkan TW007D120E, yang akan membantu mengurangkan penggunaan tenaga serta menyumbang kepada pengecilan saiz dan peningkatan kecekapan sistem bekalan kuasa.