Toshiba Memulakan Penghantaran Sampel Uji bagi Bare Die 1200V SiC MOSFET dengan Rintangan Rendah dan Kebolehpercayaan Tinggi, untuk Digunakan dalam Inverter Tarikan Automotif

KAWASAKI, Jepun, 14 Nov (Bernama) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah membangunkan "X5M007E120," sebuah bare die[1] 1200V silikon karbida (SiC) MOSFET untuk penukar daya kenderaan[2] dengan struktur inovatif yang memberikan Hidupkan-rintangan yang rendah dan kebolehpercayaan yang tinggi. Sampel ujian kini dihantar untuk penilaian oleh pelanggan.

Kebolehpercayaan SiC MOSFET tipikal sering merosot apabila Hidupkan-rintangan meningkat disebabkan pengaktifan diod badan secara bipolar[3] semasa operasi konduksi terbalik[4]. SiC MOSFET Toshiba mengatasi isu ini melalui struktur peranti yang menggabungkan diod penghalang Schottky (SBD) ke dalam MOSFET untuk menyahaktifkan diod badan, namun, kedudukan SBD pada cip mengurangkan kawasan yang tersedia untuk saluran yang menentukan rintangan Hidupkan-operasi MOSFET dan meningkatkan cip.Hidupkan-rintangan.